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華中科技大學(xué)物理學(xué)陳學(xué)文教授團(tuán)隊(duì)在芯片集成光量子領(lǐng)域取得新進(jìn)展

來(lái)源: 上海自動(dòng)化儀表九廠(chǎng)(原上海自動(dòng)化儀表有限公司) >> 進(jìn)入該公司展臺(tái) 2025/12/12 10:00:59 已瀏覽:
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18日,物理學(xué)陳學(xué)文教授團(tuán)隊(duì)在芯片集成量子光源方面取得重要進(jìn)展,實(shí)現(xiàn)了全同單光子源的可控片上集成,實(shí)驗(yàn)展示了片上獨(dú)立單光子源間的全同光子量子干涉,干涉可見(jiàn)度達(dá)0.97,并觀(guān)察到100微秒量級(jí)的長(zhǎng)時(shí)間量子拍現(xiàn)象。2025年11月5日,該成果以“On-chip Quantum/WWW.shzy4.com/ Interference ofWWW.shzy4.com/ Indistinguishabl Single Photons from Integrated Independent Molecules”為題在線(xiàn)發(fā)表在《自然·納米技術(shù)》。
 
  光量子技術(shù)是實(shí)現(xiàn)量子通信、量子模擬和通用量子計(jì)算的重要平臺(tái)。全同單光子是光量子技術(shù)的重要物理資源。將多個(gè)獨(dú)立且全同的單光子通道集成到片上,是實(shí)現(xiàn)可擴(kuò)展光量子信息處理的關(guān)鍵。然而在實(shí)驗(yàn)層面,這一目標(biāo)的實(shí)現(xiàn)面臨三大核心挑戰(zhàn):其一,獨(dú)立單光子源所處的局域納米環(huán)境不相同,導(dǎo)致躍遷頻率存在差異,即非均勻展開(kāi);其二,局域電荷環(huán)境的波動(dòng)會(huì)引發(fā)發(fā)射頻率的隨機(jī)抖動(dòng)與漂移,微納加工過(guò)程更會(huì)加劇材料表面附近的電荷噪聲,從而惡化光譜穩(wěn)定性;其三,單量子體系在集成過(guò)程中偶極取向隨機(jī),難以實(shí)現(xiàn)可控耦合。
 
  針對(duì)上述關(guān)鍵瓶頸,陳學(xué)文、唐建偉教授領(lǐng)導(dǎo)的團(tuán)隊(duì)聯(lián)合浙江大學(xué)時(shí)堯成教授團(tuán)隊(duì)提出并實(shí)現(xiàn)了一種“分子摻雜有機(jī)微納晶片 + 氮化硅光子線(xiàn)路 + 片上金屬微電極”的混合集成方案(圖1)。在該架構(gòu)中,摻雜DBT(7,8:15/WWW.shhzy3.cn,16-dibenzoterrylene)分子的蒽微納晶片以相對(duì)可控的位置和偶極取向集成至氮化硅光子芯片之上;同時(shí),通過(guò)片上微電極施加外加電場(chǎng),利用斯塔克效應(yīng)實(shí)現(xiàn)對(duì)分子躍遷頻率的精密調(diào)諧,*終*實(shí)現(xiàn)了高穩(wěn)定性、可控的獨(dú)立全同單光子源片上集成,有效突破了上述三大實(shí)驗(yàn)挑戰(zhàn)。
 
  圖1. 混合集成光量子芯片。a. 光量子芯片實(shí)物照片;b. 光量子芯片上集成24個(gè)雙光子量子干涉器件(光學(xué)顯微照片);c. 一個(gè)雙光子量子干涉器件由分子摻雜的單晶微納晶片、氮化硅光子元件(上海儀表三廠(chǎng)波導(dǎo)W1,2,3,4、2×2多模干涉儀和光柵耦合器和金屬微電極的混合集成;d. 波導(dǎo)W1和W2(兩側(cè)有金電極)、多模干涉儀以及其中一個(gè)光柵耦合器的SEM圖像;e.DBT分子結(jié)構(gòu)及其能級(jí)示意圖;f. 片上雙光子量子干涉實(shí)驗(yàn)示意圖。
 
  合作團(tuán)隊(duì)通過(guò)上述有機(jī)-無(wú)機(jī)混合集成方案,上海上自?xún)x轉(zhuǎn)速表廠(chǎng)一方面保障了分子所處的純凈固態(tài)環(huán)境,有效抑制了分子頻率的抖動(dòng)漂移;另一方面借助斯塔克效應(yīng),對(duì)兩個(gè)獨(dú)立波導(dǎo)上的單分子單光子源分別實(shí)施調(diào)控,*消除了不同分子間的躍遷頻率差異;同時(shí)利用片上單模光路極高的模式匹配度,確保了光子干涉效率。*終*實(shí)現(xiàn)了獨(dú)立單分子單光子源間的全同雙光子量子干涉,干涉可見(jiàn)度高達(dá)/WWW.shybdj6.net/0.97,在已報(bào)道的獨(dú)立單量子體系單光子源全同光子量子干涉實(shí)驗(yàn)中,創(chuàng)下了目前*的干涉可見(jiàn)度紀(jì)錄(圖2)。
 

  圖2.高可見(jiàn)度的片上全同光子量子干涉。a.片上同頻分子間雙光子量子干涉實(shí)驗(yàn)示意圖;b. 借助斯塔克效應(yīng)將兩個(gè)分子的躍遷頻率精細(xì)調(diào)諧一致;c.兩個(gè)分子的共振熒光光譜重疊;d-f. 當(dāng)兩個(gè)分子頻率一致時(shí),不用激發(fā)水平下(S= 2, 4, 9)的二階互相關(guān)函數(shù)g(2)HOM(τ);g.當(dāng)M1和M2具有3.8 GHz大頻差時(shí)的二階互相關(guān)函數(shù)g(2)/WWW.shybdj6.NET/HOM, d(τ);h.干涉可見(jiàn)度V(τ)與理論可見(jiàn)度曲線(xiàn)的比較。
 
  該團(tuán)隊(duì)還通過(guò)主動(dòng)引入并*調(diào)控獨(dú)立單光子源間的躍遷頻率差,使其穩(wěn)定在200 MHz,觀(guān)測(cè)到雙光子量子干涉的二階互相關(guān)函數(shù)中呈現(xiàn)周期為5 ns的量子拍。該量子拍的持續(xù)時(shí)間可達(dá)100μs量級(jí),是分子激發(fā)態(tài)壽命的2萬(wàn)倍以上(圖3)。這一現(xiàn)象揭示了發(fā)射光子的長(zhǎng)相干性(波動(dòng)性)與高單光子純度(粒子性),為光量子技術(shù)應(yīng)用拓展了新方向。
 

  圖3.片上量子干涉拍。a.片上失諧分子間雙光子量子干涉實(shí)驗(yàn)示意圖;b. 當(dāng)分子M1和M2被兩束激光同時(shí)共振激發(fā)時(shí),發(fā)射光譜測(cè)量顯示兩個(gè)分子頻率相差200MHz;c.弱激發(fā)下(S= 0.2)的二階互相關(guān)函數(shù);d. 100微秒長(zhǎng)時(shí)延附近的二階互相關(guān)函數(shù);WWW.SHSAIC.NET/e-h.不同激發(fā)水平下(S= 0.5、1、3和9)的二階互相關(guān)函數(shù)。
 
  該項(xiàng)研究突破了集成量子光子學(xué)中長(zhǎng)期存在的關(guān)鍵障礙,實(shí)現(xiàn)了芯片上獨(dú)立單光子源間的高可見(jiàn)度量子干涉,上海新躍儀表廠(chǎng)為未來(lái)基于片上集成單光子源的量子邏輯運(yùn)算奠定了基礎(chǔ)。這一成果不僅是構(gòu)建大規(guī)模光量子處理器的重要一步,也為量子光學(xué)和波導(dǎo)量子電動(dòng)力學(xué)研究提供了穩(wěn)定可靠的實(shí)用平臺(tái)。
 
  我校物理學(xué)博士生黃泰臨、許淼淼、金偉、池軼瑄和浙江大學(xué)光電學(xué)劉衛(wèi)喜博士為論文共同*作者;物理學(xué)博士任鵬龍、韋尚明以及博士生白正萱作出重要貢獻(xiàn);陳學(xué)文、唐建偉和浙江大學(xué)光電學(xué)時(shí)堯成教授為論文的共同通訊作者;我校為*通訊單位。
 

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